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金属电容器,金属电容器加工制造工艺方法图文全套

作者：admin 来源：金鼎工业资源网更新时间：2021/9/6

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1、金属-多层绝缘体-金属电容器及其制造方法、集成电路

[简介]：本套资料提供了一种金属-多层绝缘体-金属电容器及其制造方法、集成电路。根据本套资料的金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法包括：介质层提供步骤，用于提供介质层；电容器槽形成步骤，用于在介质层中形成用于形成电容器的电容器...

2、金属-多层绝缘体-金属电容器及其制造方法、集成电路

[简介]：本套资料主要内容为一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其中，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上沉积一层低介电常数介质层；在所述低介电常数介质层上制作一开口，所述开口为金属-氧化硅-金属形成区域；采用沉积步骤和含...

3、一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，该方法通过先形成低k值介质和高k值氧化硅的混合层；接着进行传统工艺的光刻蚀刻，在低k值介质和高k值氧化硅中分别形成互连金属槽和电容金属槽，并在槽中填充金属；从而...

4、金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，该方法通过先形成低k值介质和高k值氧化硅的混合层；再利用传统工艺的光刻蚀刻分别在低K值介质及高k值氧化硅中形成互连金属槽及电容金属槽，并在槽中填充金属；重复...

5、多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

6、多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

7、金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

8、多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

9、多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种提高金属-绝缘体-金属MIM电容器可靠性的方法，其中，包括以下步骤：在衬底上依次淀积一层第一金属介电层、金属层、刻蚀停止层和第二金属介电层；在第二金属介电层中形成第一通孔和第二通孔，并在其表面覆盖...

10、一种提高金属-绝缘体-金属电容器可靠性的方法及其工艺结构

[简介]：本套资料主要内容为一种金属-多层绝缘体-金属电容器（MOM）的制作方法，其中：在衬底上沉积第一低K值介质层；采用沉积和含氧气体处理循环方式，在第一低K值介质层上沉积氮化硅层，其包括MOM区域的第一氮化硅层和非MOM区域的第二氮化...

11、一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法，其中：提供衬底；在衬底上沉积一层低介电常数介质层；在低介电常数介质层上制作一开口；采用沉积和含氧气体处理循环进行的方式，在开口中沉积氮化硅，形成氮化硅和低...

12、一种金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法

[简介]：本套资料提供了一种金属-多层绝缘体-金属电容器及其制造方法、集成电路。根据本套资料的金属-多层绝缘体-金属电容器制造方法包括：氮化硅层提供步骤，用于提供氮化硅层；非电容区刻蚀步骤，用于在氮化硅层中刻蚀非电容区；介质层...

13、金属-多层绝缘体-金属电容器及其制造方法、集成电路

[简介]： MIM电容器的实施例可以被嵌入到厚的IMD层中，该厚IMD层的厚度例如，至足以得到高电容。该厚IMD层可以位于较薄的IMD层上面。MIM电容器可以形成在三个邻近的金属层之中，这些金属层具有两个将这三个邻近的金属层分隔开的厚...

14、金属绝缘体金属电容器及制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法，其顶部电极位于一覆有隔离氧化层的硅基体之上，底部电极形成于硅基体内，隔离氧化层就是绝缘层；制作方法采用干法回刻，然后形成氧化层，再回填多晶的办法形...

15、金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法

[简介]：本套资料主要内容为一种金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构，包括顶部电极、中部电极、底部电极以及绝缘层，该结构形成于MOS器件区域内，器件的栅极的控制栅就是顶部电极，浮栅就是中部电极，介电质层就是第一绝缘层；制作方法采用干法...

16、金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法

[简介]：本申请涉及制作具有局部互连金属电极的MIM电容器的方法及相关结构。根据例示性实施方式提供了一种在半导体芯片中制作金属-绝缘体-金属（MIM）电容器的方法，包括：在位于半导体芯片的第一金属化层下的器件层上形成底部电容...

17、制作具有局部互连金属电极的MIM电容器的方法及相关结构

[简介]：本套资料公开一种包括电容器和双层金属接触的半导体器件及其制造方法。该方法包括：形成外围电路的外围晶体管的栅极；在第一层间绝缘层形成第一接触和第一外围电路布线层图案；形成第二接触和第二外围电路布线层图案；选择去...

18、包括电容器和双层金属接触的半导体器件及其制造方法

[简介]：本套资料主要内容为一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其中，包括以下步骤：提供一衬底；在衬底上沉积一层第一低介电常数介质层，包括金属-氧化物-金属制作区域和非金属-氧化物-金属制作区域；采用沉积和含氧气体处理循环方式...

19、一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

[简介]：本套资料的实施例提供了一种包括电容器和金属接触的半导体装置及其制造方法。该方法包括：在单元区和外围区上或中形成第一模层，形成穿透单元区中的第一模层的第一存储节点和穿透外围区中的第一模层的第一接触，在第一模层上...

20、包括电容器和金属接触的半导体装置及其制造方法

[简介]：用于金属-氧化物-金属电容器的保护结构，一种电容器结构包括第一组电极、第二组电极以及多个线插头。第一组电极具有第一电极和第二电极，第一电极和第二电极形成在多个金属化层中的第一金属化层中，其中，第一电极和第二电极...

21、在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器

22、在顶部金属层上形成金属-绝缘体-金属电容器

23、具有金属栅极的半导体器件上的制造电容器方法及电容器

24、多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

25、多层金属-多层绝缘体-金属电容器的制作方法

26、多层金属-氧化硅-金属电容器的制作方法

27、金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法

28、金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法

29、金属绝缘体金属电容器及其制造方法

30、金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法

31、金属-绝缘体-金属MOS电容器的结构及其制作方法

32、用于制作用于高质量金属-绝缘体-金属电容器的导板的方法

33、金属－绝缘层－金属电容器及其制造方法

34、连接器以及用于将该连接器的电容器与端子金属配合器连接的方法

35、内包金属的树状碳纳米结构物、碳纳米结构体、内包金属的树状碳纳米结构物的制备方法、碳纳米结构体的制备方法以及电容器

36、金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法

37、用于金属-氧化物-金属电容器的高电容绝缘体的选择性制造

38、形成金属-绝缘体-金属电容器的方法及其形成的电容器

39、金属电容器及其制造方法

40、金属电容器及其制造方法

41、金属电容器及其制造方法

42、金属电容器及其制造方法

43、制造金属－绝缘体－金属电容器的方法

44、金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法

45、金属-绝缘体-金属电容器

46、金属电容器及其制造方法

47、电容器储能无回路金属熔融焊接装置

48、电容器储能无回路金属熔融焊接方法及装置

49、金属-绝缘-金属型电容器、存储器单元及其形成方法

50、金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法

51、高方阻多内串双面金属化膜形成的脉冲电容器

52、利用回蚀制造的金属-绝缘体-金属电容器

53、高方阻多内串双面金属化膜脉冲电容器

54、改进的高方阻多内串双面金属化膜脉冲电容器

55、形成金属-绝缘体-金属电容器的方法及所形成器件

56、具有金属-绝缘体-金属电容器的半导体器件及制造方法

57、使用硬掩膜金属绝缘体金属电容器的形成

58、一种单留边双面金属化电极薄膜电容器

59、堆叠式金属－氧化物－金属电容器结构

60、通过迅速电容器放电的金属玻璃的片材形成

61、一种铁路轨道补偿电容器的金属壳壳盖

62、一种铁路轨道补偿电容器的金属壳壳盖

63、金属化聚酯膜介质电容器的生产工艺

64、具有外围沟槽电容器的互补金属氧化物半导体图像传感器

65、用于将铜与金属-绝缘体-金属电容器结合的方法和结构

66、用于脉冲电容器的多内串单面金属化膜

67、具有局部互连金属板的MOM电容器

68、具有局部互连金属板的MOM电容器以及相关方法

69、包括带有金属电极的电容器的集成电路以及制造这种电容器的方法

70、小型耐高压金属化穿心式电容器

71、利用金属闪光层控制电容器界面特性的方法

72、金属－绝缘层－金属电容器的制造方法

73、金属绝缘体金属电容器

74、金属-绝缘体-金属电容器及制造方法

75、使用厚顶部电极在金属箔上制造薄膜电容器的方法

76、具有金属电容器的非易失性存储单元及电子系统

77、一种高耐压大电流中高频金属化薄膜电容器

78、包括金属-绝缘体-金属电容器排列的半导体器件

79、具有金属-金属电容器的集成电路的结构及其形成方法

80、金属化聚酯膜介质电容器

81、金属－绝缘体－金属电容器制造方法

82、金属－绝缘体－金属电容器制造方法

83、用于片上电容器的凸块底部金属化

84、金属化膜电容器

85、金属化膜电容器

86、金属化膜电容器

87、金属化膜电容器

88、一种微型金属化电容器焊接编排机

89、金属电解电容器以及金属电解电容器用吸收材料和防泄漏材料

90、并联式双面金属化聚丙烯膜电容器

91、利用自行对准金属硅化物制程形成多晶硅电容器的方法

92、低噪音金属化薄膜电容器生产工艺

93、用于电容器的金属箔片、使用该箔片的固体电解电容器和箔片和电容器的生产方法

94、一种金属化聚丙烯薄膜电容器

95、铝材质堆迭式金属电容器及电感器的集成制程方法

96、金属箔上受体掺杂的钛酸钡基薄膜电容器及其制造方法

97、用于消除多晶硅金属板电容器中的工艺相关缺陷的结构及方法

98、一种金属化薄膜电容器端面喷金用锌铝合金丝

99、金属-绝缘体-金属电容器及互连结构

100、一种金属化薄膜电容器

101、一种锌蒸镀金属化聚丙烯薄膜电容器的制备方法

102、一种锌蒸镀金属化聚丙烯薄膜电容器的制备方法

103、具有薄金属层的陶瓷生片及制造陶瓷电容器的方法

104、一种用于电容器的纯铝锌加厚金属化薄膜

105、增加金属-绝缘体-金属电容器的单位面积电容密度的方法

106、在同一层次处制造金属绝缘体金属电容器和电阻器的方法

107、具有陶瓷放电容器的金属卤化物灯

108、堆叠式金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法

109、在铜镶嵌制程中形成金属-绝缘-金属型MIM电容器的方法

110、超小型抑制电源电磁干扰跨线金属化薄膜介质电容器

111、耐大电流冲击节能灯专用超小型高压金属化薄膜电容器

112、形成含有金属的材料和电容器电极的方法以及电容器结构

113、一种安全型金属化薄膜电容器

114、通过快速电容器放电形成金属玻璃

115、在镶嵌制程中形成金属电容器的方法

116、金属化薄膜电容器

117、在镶嵌制程中形成金属电容器的方法及其产品

118、具金属-绝缘体-金属电容器之集成半导体产品

119、利用镶嵌制程形成金属电容器的方法及其产品

120、包含金属-绝缘体-金属电容器之集成半导体产品

121、制备金属氧化物薄膜、电容器、氢分离膜-电解质膜组合件和燃料电池的方法

122、制备金属氧化物薄膜、电容器、氢分离膜-电解质膜组合件和燃料电池的方法

123、金属电容器的构造及其制造方法

124、铜制金属-绝缘体-金属电容器

125、形成金属－绝缘层－金属电容器的方法

126、双保险高安全的金属化安全膜电容器

127、可变电容器及可变电容器用金属转子的制造方法

128、通过快速电容器放电锻造形成金属玻璃

129、含氮均匀的阀金属粉末及其制造方法阀金属坯块和阀金属烧结体以及电解电容器的阳极

130、耐大电流冲击金属化聚酯薄膜介质中、高压固定电容器

131、具有金属-绝缘体-金属电容器的集成元件

132、用于同时形成硅上金属电容器的最佳透过注入

133、用于同时形成硅上金属电容器的最佳透过注入

134、形成光刻胶层压基板、电镀绝缘基板、电路板金属层表面处理及制造多层陶瓷电容器的方法

135、耐大电流冲击金属化聚丙烯薄膜介质中、高压固定电容器

136、金属化电容器用薄膜和使用该薄膜的电容器

137、深亚微米互补型金属氧化半导体的交指形状多层电容器结构

138、金属-绝缘体-金属电容器之电极的制造方法

139、电容器用耐高温超薄聚丙烯金属化电容膜

140、金属层或金属硅化物层结构化法以及用该法制造的电容器

141、一种金属化安全膜干式高压电力电容器元件

142、一种金属化安全膜干式高压电力电容器元件

143、金属电解电容器及其制造方法

144、在金属材料表面形成含电介质填料的聚酰亚胺覆盖膜的方法和印刷配线板用的电容器层形成用的包铜层压板的制造方法以及用该制造方法制得的包铜层压板

145、一种渐变方阻金属化膜和包含该金属化膜的电容器

146、金属化薄膜电容器

147、用于功率电容器的电容器元件和金属化膜以及包含该元件的功率电容器

148、具有“金属上的电容器”结构的半导体器件的制造方法

149、一种双面金属化薄膜电容器芯子元件

150、一种双面金属化薄膜电容器芯子元件

151、金属粉末制备方法和多层陶瓷电容器的内部电极制造方法

152、两面金属化膜的制造方法以及使用它的金属化膜电容器

153、金属间电容器及其制造方法

154、耐高温金属氮化物制成的电容器基片

155、电容器用金属化安全膜

156、表面处理的超细金属粉末及其制法、该粉末的导电金属膏和利用该膏的多层陶瓷电容器

157、电池或电容器用锂金属箔

158、在用于功率放大器的深度亚微米金属氧化物半导体中的组合的晶体管-电容器结构

159、金属电容器的制造方法

160、一种薄膜电容器用金属化薄膜及其制作方法

161、电容器安全型金属化极板

162、电容器安全型金属化极板

163、用有机金属化合物处理的电解电容器阳极

164、一种金属化安全膜干式高压电力电容器元件的电极结构

165、半导体器件的包封金属结构及包括该结构的电容器

166、制造用于微调电容器的金属动片的方法

167、一种金属化薄膜电力电容器

168、一种铝加厚金属化电容器用薄膜的真空蒸发镀膜机

169、一种铝加厚金属化电容器用薄膜的蒸镀方法

170、一种铝加厚金属化电容器用薄膜的真空蒸发镀膜机

171、金属膜电容器和其所用金属化膜的制造设备和方法

172、膜电容器和金属化膜

173、贱金属电极多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法

174、敷金属薄膜及薄膜电容器

175、全铝加厚金属化电容器用薄膜的制备方法

176、铝加厚金属化电容器用薄膜

177、全铝加厚金属化电容器用薄膜

178、金属化薄膜电容器芯子掩膜包装机的包装机构

179、复合金属材料及其制造方法、蚀刻的金属材料及其制造方法、以及电解电容器

180、使用离子性液体的金属表面氧化皮膜形成方法电解电容器及其电解质

181、具有金属氧化物电介质的电容器

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